多晶矽還原爐內主要汙染物（wù）及清洗工藝

從（cóng）2010年至今，光伏產業呈現出了強勢（shì）的複蘇（sū）態勢，光（guāng）伏市場（chǎng）需求旺盛。高純多晶矽是電子工業和太陽能光伏產業（yè）的基礎原料也是主（zhǔ）要原料，在整個生產過程中，對產品質（zhì）量的控製要求很高。目前（qián），生產多晶矽主要（yào）采用改良西門子法，對還原爐的沉積環境的潔淨度要（yào）求特別關（guān）鍵（jiàn），任何顆粒性雜質、油脂等（děng）物質餘留在爐內，都會對產品質量造成影（yǐng）響。
 
一、多晶矽還原爐內主要汙染物

根據多晶矽生產原理及實際生產情況分（fèn）析，還原爐基盤及鍾罩表麵（miàn）主（zhǔ）要汙染物為無定形矽粉（fěn），其次（cì）為多晶矽（guī）顆粒物、氯矽烷水解物（wù）及部分粉塵雜質。

1、無定形矽

還原爐在一個周期運行後，基盤及鍾罩表（biǎo）麵均會產生一層土（tǔ）黃色粉末，主要成分為無定形矽粉。基盤冷卻水溫度偏高（gāo），在還原爐基盤尾氣出口也會產生無定形矽。這些（xiē）無定形矽易形成一層膜附在基盤和鍾罩內表（biǎo）麵（miàn），甚至（zhì）在電極和石英環表麵。

2、氯矽烷水解物

多晶矽打開鍾罩前要進（jìn）行嚴（yán）格的氮氣置換，但因還原爐結構複雜，在（zài）進料口、尾氣管、窺視鏡等地方易（yì）形（xíng）成置換死角，置換後爐內（nèi）仍會預留部分氯矽烷氣體。當爐（lú）筒提起後，氯矽烷殘留氣體與空氣接觸，會（huì）在基盤（pán）及爐筒表麵形成水解物。這些水解物一般附著在進料管口及（jí）尾氣管口，其中矽酸鹽物（wù）質為（wéi）白色膠（jiāo）狀沉澱，二氧化矽為（wéi）白色（sè）粉末狀固體，氯化氫遇潮形成鹽酸殘留在基盤表麵。

3、多晶矽顆粒物

還原爐停爐過（guò）程中，因停爐溫度控製不均，易造成（chéng）矽棒破裂，產生多（duō）晶矽碎屑；收割矽棒過程中也會有部分碎屑遺留；如果遇到倒棒，碎屑遺留會更多。

4、其他（tā）雜物

在收割矽棒（bàng）中，會帶入少量的粉塵、油脂等汙染物。油分子對多晶矽的危害十分嚴（yán）重可能（néng）造成多晶矽反應速度減慢，產量（liàng）降（jiàng）低，甚至矽反應停止。

二、多晶矽還原爐清洗方法（fǎ）
 
現今各生產廠家在開發新技（jì）術、進（jìn）行技術改造的同時，通過對設備的清洗來（lái）降低能耗（hào）和保證多晶矽的產品質量。還原爐沉積多晶矽是（shì）間歇（xiē）操作，一個運（yùn）行周期結束後需要打開（kāi）鍾罩收割（gē）矽棒，然後進行基盤清理，再裝矽芯進行下一個周期的化學氣相沉積。因此，想提高設備運轉率、降低能耗，選擇方便、快捷、處理效果（guǒ）好的清理工（gōng）藝尤為關鍵。

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